En la fabricación de materiales cuaternarios por la técnica de epitaxia en fase líquida se presentan inhomogeneidades en la composición de la película, consistentes en otras fases formadas por materiales binarios o ternarios constituidos por los elementos que componen el material. La presencia de diferentes fases en películas semiconductoras del cuaternario Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y se relaciona con los parámetros de crecimiento y con la concentración de la solución precursora. En este trabajo presentamos un análisis de la presencia de una segunda fase, determinada por difracción de rayos X, correlacionando estos resultados con un análisis morfológico de la superficie de las películas fabricadas.

The quaternary semiconductor Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y growth by liquid phase epitaxy technique could present inhomogeneous composition consisting on new solid phases, formed by binary or ternary compounds of the elements involved. The presence of the different solid phases is related with growth parameters such as cooling rates, and with the liquid solution composition. In this work we present an analysis of a second solid phase related to X ray diffraction spectra and to surface morphology.