Se presentan los resultados obtenidos de la aplicación de espectroscopías de fotorreflectancia y fotoluminiscencia a heteroestructuras de ZnSe/CdTe/GaAs(001). El interés en estas estructuras es tanto de tipo fundamental, ya que prácticamente no existe información al respecto de la interfaz ZnSe/CdTe, como también tecnológico, ya que el ZnSe y sus semiconductores ternarios relacionados son parte integrante de dispositivos tales como diodos y láseres con emisión en el azul-verde del espectro visible y el CdTe es un semiconductor ideal para aplicación en celdas solares en la cuales el ZnSe podría ser utilizado como ventana. Las muestras fueron crecidas por epitaxia de haces moleculares (MBE, Molecular Beam Epitaxy). Se depositaron películas de CdTe en un rango de espesores entre 1 monocapa (ML, monolayer =3.238Å) y 100 Å sobre substratos de GaAs(100) y sobre ellas se crecieron películas de ZnSe de 0.5 ?m. La capa colchón de 1 ML de CdTe se realizó por la técnica denominada epitaxia de capas atómicas (ALE, Atomic Layer Epitaxy). Los crecimientos de estas heteroestructuras fueron inspeccionados in-situ por difracción de electrones de alta energía (RHEED, reflection high energy electron diffraction), observándose la reconstrucción ZnSe(001)(2x1) característica de crecimientos ricos en Se. Los espectros de fotoluminiscencia a baja temperatura presentan amplias bandas de emisión entre los 2 y los 2.7 eV que son más intensas que las transiciones excitónicas, las cuales son observadas claramente. Este comportamiento se atribuye a defectos estructurales y la presencia de aleaciones semiconductoras interfaciales debido a la reacción química entre el ZnSe y el CdTe.
PACS: 81.15.H; 78.66; 61.14.H; 78.55; 73.61.J