En este trabajo se presenta el análisis de espectros de fotorreflectancia (FR) para temperaturas en el rango de 12K a 300K, de una muestra de GaAs no dopada tipo comercial. Los espectros fueron tomados con dos fuentes diferentes de excitación láser, HeCd (325nm) y HeNe (632.8nm). Los ajustes se realizaron con formas de línea de primera derivada para la transición excitónica Ee y Oscilaciones Franz-Keldhys (OFK) para la transición interbanda Eg. La dependencia de Eg con la temperatura concuerda con la expresión de Varshni. Y se realizó un estudio comparativo entre espectros tomados con la línea de excitación láser 325 nm y la línea 632.8 nm, encontrándose la variación del campo eléctrico superficial con la temperatura en cada caso.

In this work we present the analysis of photoreflectance (FR) spectra for temperatures in the range of 12K to 300K, of a sample of undoped GaAs. The spectra were measured for two different pump beams, HeCd (325nm) and HeNe (632.8nm). The fittings to the experimental spectra were made using Franz-Keldhys Oscillations (FKO) for the interband transition Eg and first-derivative lineshape to the excitonic contribution Ee. The temperature dependence of Eg agrees with the Varshni model. And we realized a comparative study between the spectra measured with the pump beam 325 nm and the spectra obtained with the pump beam 632.8 nm, of this study we obtained the surface electric field variation with temperature in each case.