En este trabajo reportamos el análisis de la calidad de las películas de ZnSe cuando se deposi-tan sobre substratos con y sin tratamiento químico por medio de la técnica óptica de Fotolumi-niscencia (FL). El crecimiento de los sistemas de ZnSe/GaAs se realizo mediante la técnica de epitaxia de haces moleculares (Molecular Beam Epitaxy, MBE) y se logró depositando pelícu-las de ZnSe con determinadas relaciones de los flujos de Zn y Se sobre substratos de GaAs, esta relación de flujos entre el Zn y el Se, determinan la estequiometría del crecimiento y por ende la calidad de la película. En todos los sistemas se han empleado substratos semi-aislantes de GaAs orientados en la dirección ?100?, en donde se han tenido en cuenta las condiciones inicia-les del substrato. Se han mantenido todos los parámetros del crecimiento constantes como son: la temperatura del substrato y los flujos de las celdas de efusión del Zn y Se y se han crecido películas con espesores nominales de 5000 Å.

PACS: 81.15.H; 78.66; 61.14.H; 78.55; 73.61.J
Keywords: Photoreflectance, optical characterization, Electronic Materials, ZnSe, GaAs.