En este trabajo se describe la técnica de procesamiento por chispa (SP) para la obtención de si-licio luminiscente. La técnica consiste en utilizar descargas pulsantes entre dos electrodos en un medio gaseoso. La fuente pulsada de alto voltaje (? 10 kV) se aplica entre una punta metálica de tungsteno (ánodo) y un substrato de silicio (cátodo), a una frecuencia de repetición del orden de 16 kHz. Esto permite obtener un material altamente poroso, que forma una estructura en forma de colina sobre el substrato de Si. Los substratos de Si fueron tratados con esta técnica a presión atmosférica, con y sin la presencia de un flujo continuo de aire en el momento de las descargas. Esto produce un material que emite una señal de fotoluminiscencia (PL) con un pi-co centrado en 380 nm (UV/azul) o 540 nm (verde), dependiendo de si fluye o no fluye aire en el momento de la preparación respectivamente.