En este trabajo se presentan los resultados relativos a la caracterización de la implantación ió-nica de silicio utilizando dos técnicas de Radiometría Fototérmica en el Infrarrojo. Se utilizó el barrido en frecuencia tradicional de esta técnica y una modificación que se denominada Com-mon-Mode-Rejection Demodulation (CMRD). Las muestras estudiadas fueron obleas de silicio, con y sin oxido, implantadas con B, P y As a 100 keV con dosis en el rango 1x1011 - 1x1013 io-nes/cm2. Las mediciones efectuadas con la modificación CMRD muestran una resolución supe-rior en todos los casos donde utilizando el tradicional barrido en frecuencia las señales se tras-lapan. Este fue el caso de las obleas implantadas con B en el rango 1x1012 - 1x1013 iones/cm2 y las implantadas con P en el rango 1x1011- 1x1013 iones/cm2 . Se demuestra que en los experi-mentos de CMRD el parámetro del incremento en la separación de los pulsos d? es el paráme-tro crítico pues controla la resolución mediante una señal substancial y la eliminación del ruido.

Presented in this work are the results about the characterization of ion implantation in Silicon using two techniques of Infrared Photothermal Radiometry. It was used the traditional fre-quency scan and a modification called Common-Mode-Rejection Demodulation (CMRD). The samples studied were silicon wafers, with and without oxide, implanted with B, P and As at 100 keV with doses in the range of 1x1011 - 1x1013 iones/cm2. Measurements made with CMRD modification shown a superior resolution in all cases where using the traditional frequency scan signals overlapped. This was the case of B implanted wafers in the range 1x1012 - 1x1013 iones/cm2 and P implanted wafers in the range 1x1011- 1x1013 iones/cm2. It was shown for the CMRD experiments the pulse separation increment d? is the critical parameter which controls the resolution through substantial signal and noise suppression.