Películas delgadas de CuInSe₂ (CIS) fueron depositadas por evaporación sobre substratos de vidrio soda lime a través de procesos en una, dos y tres etapas. El efecto de las condiciones de preparación sobre las propiedades eléctricas de las películas de CIS fue investigado mediante medidas de resistividad, y coeficiente Hall en función de la temperatura. El estudio mostró que las muestras crecidas en procesos de una y dos etapas presentan un incremento de la resistivi-dad con la temperatura. Este comportamiento inesperado parece estar asociado a cambios de fase inducidos por el calentamiento posterior a su fabricación; por el contrario las muestras crecida en tres etapas presenta una fase estable que no es afectada por el recocido posterior a su deposición. De otro lado se encontró que las fronteras de grano afectan significativamente el transporte eléctrico y por consiguiente la conductividad eléctrica de las películas delgadas de CIS crecidas en tres etapas.

CuInSe₂ (CIS) thin films were deposited on soda lime glass substrates through processes in one, two and three stages. The effect of the preparation conditions on the electric properties of the CIS films was investigated by means of resistivity and Hall coefficient measurements as a func-tion of temperature. The study revealed that the samples grown in one and two stage processes present an increment of the resistivity with the temperature. This unexpected behavior seems to be associated to phase changes induced by post fabrication heating; on the contrary, the sam-ples grown in three stages presents a stable phase which is not affected by posts deposition an-nealing. On the other hand, it was found that the grain boundaries significantly affect the elec-tric transport and therefore the electric conductivity of the CIS thin films.