En este trabajo se presentan espectros de Al_0.5Ga_0.5 As:Sn con una concentración 1x10 16 cm -3 obtenidos por medio de la técnica de fotorreflectancia (FR) a temperaturas en el rango de 12K a 300K. La muestra fue crecida por epitaxia en fase líquida sobre un substrato de GaAs. Los espectros fueron analizados con una combinación de dos funciones, una asociada a la transición excitónica y la otra a oscilaciones Franz Keldysh. La dependencia de las transiciones electrónicas con la temperatura concuerda con el modelo de Varshni. A partir de los análisis de los espectros se obtuvo la dependencia con la temperatura tanto del voltaje de barrera superficial como de la densidad de estados superficiales. Usando la transformada rápida de Fourier se determinaron las frecuencias de desdoblamiento de los huecos pesados y livianos y sus contribuciones a la variación del campo eléctrico superficial con la temperatura.

In this work we present the analysis of photoreflectance spectra of an Al_0.5Ga_0.5:Sn sample with 1x10 16 cm -3 Sn concentration. These spectra were measured at temperatures in the range between 12K and 300K. The sample was grown on a GaAs substrate by liquid phase epitaxy technique. The fittings to the experimental spectra were done using two contributions, Franz Keldysh oscillations and excitonic transitions. The temperature dependence of electronic transitions energy agrees with the Varshni model. From the spectra analysis we also obtained the behavior with temperature of the surface density of states and the surface barrier height. By means of the Fast Fourier Transform we determined the heavy and light holes splitting frequencies and their contributions to the electric field variation with temperature.