En este trabajo se crecieron películas de nitruro de carbono CNx en un sistema de pulverización catódica r.f.. El plasma se caracterizó por dos técnicas diferentes, la espectroscopía de emisión óptica y la sonda simple de Langmuir. Se determinó crecer dos series de películas de CNx la primera con flujo de gas de 100% de N2 y una segunda serie con relación de flujo de gases N2/Ar de 0.45. Se aplicaron voltajes de polarización a los sustratos entre 0 y -200V durante el crecimiento de la película. Se presentan los resultados sobre diferentes clases de sustratos y se caracterizaron, utilizando diferentes técnicas de análisis como AFM, Rayos X, IR, XPS, propiedades mecánicas.

In this work carbon nitrate CNx thin films have been deposited by a reactive r.f. magnetron sputtering technique. During the growth of the films bias voltage between 0 to -200V were applied to the substrate. In-situ Characterization of the plasma using a simple electrostatic Langmuir probe permitted determination of the electronic temperature Te (approximate 8 - 11 eV). The films were analysis by AFM, X- Ray, IR, XPS, mechanical properties.