Se presentan los resultados del diseño e implementación, de un sistema para obtener medidas del índice de refracción en estructuras semiconductoras ternarias de InGaAs e InAlAs crecidos epi-taxialmente sobre substratos de GaAs y de InP por la técnica MBE. El modelo del sistema implementado se basa en la técnica de Abeles-Hacskaylo, Estos resultados son comparados con los obtenidos en las simulaciones realizadas en un software especialmente implementado para este fin. El software desarrollado utiliza métodos variacionales para el cálculo del índice de refracción a la longitud de onda utilizada. Los resultados obtenidos con el sistema implementado concuerdan con los reportados en la literatura para este tipo de materiales.