En este trabajo se presenta un análisis de las variaciones en la estequiometría de películas epitaxia-les de Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y crecidas por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL), a partir de medi-ciones de XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) realizadas después de 10 y 20 minutos de ero-sión con iones Ar⁺. Se observa la eliminación de óxidos superficiales así como cambios en la con-centración de In (x) y As (y), dichos cambios se asocian al comportamiento de estos elementos en el proceso de crecimiento y a la temperatura en la cual se ponen en contacto la solución líquida y el sustrato.

In this work is presented an analysis of the stoichiometric variations of Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y films grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) technique and measurement by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) after 10 and 20 minutes of erosion using Ar⁺ ions. Here it is shown the oxide elimi-nation from the surface and the changes in the indium (x) and arsenic (y) concentration. These changes are attributed to the behavior of the elements and the temperature in which the liquid solu-tion and the substrate are placed in contact one to another.