Se estudia el proceso de cristalización de películas de germanio amorfo (a-Ge) depositadas sobre substratos de vidrio, el cual esta recubierto con una película de Al (~200 nm). Las películas de a-Ge fueron depositadas mediante la técnica de pulverización catódica. El tratamiento térmico de las películas se realizo sucesivamente en intervalos de 15 minutos, en un rango de temperaturas que varia entre 150 a 700 °C. Los resultados muestran que la temperatura de cristalización depende del espesor de la película de a-Ge. A temperaturas altas (>= 600 °C) se forma la aleación Ge_xSi_1-x y se induce la cristalización del Si, el cual es uno de los constituyentes del substrato.

We studied the crystallization of amorphous germanium (a-Ge) films deposited on corning glass substrates, which were previously covered with an Al film (~200 nm). The a-Ge films were depos-ited by rf sputtering. The successive annealing was carried out in Ar atmosphere at temperatures (Ta) from 150 oC to 700 °C for 15 minutes. Raman spectra of each a-Ge sample were measured at room temperature in the asdeposited state and after each heating cycle. The temperature of induced crystallization was dependent of the thickness of a-Ge film. To high annealing temperatures (Ta >= 600 °C) the Ge_xSi_1-x alloy is form. Also the Raman spectra evidence the induced Si crystallization which is one of substrate components.