En éste trabajo se reporta la respuesta óptica en el rango del infrarrojo medio, obtenida por medio de la técnica de fotoluminiscencia a baja temperatura, de películas cuaternarias de Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y crecidas por Epitaxia en Fase Líquida. Las muestras fueron crecidas a partir de soluciones ricas en In, sobre sustratos monocristalinos de GaSb dopados con Te, con orientación (100). Se realizaron mediciones en diferentes puntos de las muestras permitiéndonos asociar la respuesta óptica con la homogeneidad del material fabricado y la morfología superficial del material a escala microscópica. Así mismo, el valor del ancho a la altura media de los picos de fotoluminiscencia muestra cualitativamente que las películas poseen buena calidad cristalina. Se determinaron las posiciones del excitón libre y de los excitones ligados para una de las muestras y se analizó su variación energéti-ca con la temperatura.

In this work we report the optic response in the middle infrared range using a photoluminescence system, at low temperature, on Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y quaternary alloys grown by Liquid Phase Epitaxy technique. The films were grown under In-rich solutions, over substrates monocrystalline Te- doped (100) oriented GaSb. The PL spectra were taken over different points on the film surface and at different temperatures, allowing us to associate the optical response of the samples with the homogeneity of the alloy stoichiometry through the surface. We also associate the FWHM of the PL peaks with the film crystalline quality, We determined the free and boundeds exciton posi-tions for one of the samples and we analyzed their energetic variation with temperature.