Utilizando un sistema de pulverización RF (Magnetrón Sputtering ) a 13.56 MHz en una atmósfera de argón puro a presiones de 9 x 10^-3 mbar hemos depositado “in situ” películas delgadas de VO₂ sobre sustratos de Si, las cuales muestran una transición semiconductor - metal con cambios en la resistencia eléctrica desde 2 x 10³ W hasta 19 W a una temperatura de 65 °C. La morfología de la superficie de las películas fue analizada por Microscopia de Fuerza Atómica, AFM, obteniendo una rugosidad rms de 18 Å y un tamaño de grano del orden de 150 nm.

Using a pulverization system RF (Magnetrón Sputtering) at 13.56 MHz in a pure argon atmos-phere at pressures of 9 x 10^-3 mbar we have deposited "in situ" VO2 thin films on Si substrates, which show a semiconductor - metal transition with changes in the electric resistance from 2 x 10³ W to 19 W at 65 oC. The morphology of the surface of the films was analyzed by Atomic Force Microscopy, AFM, obtaining a ruggedness rms of 18 Å and the size of grain of the order of 150 nm.