En este trabajo se presenta el análisis de espectros de fotorreflectancia (FR) tomados en el rango de temperatura de 12K a 100K, de una película de Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb crecida mediante la técnica de epitaxia en fase líquida (EFL). Los ajustes se realizaron con formas de línea lorentziana de primera derivada para la transición excitónica Ex y de tercera derivada para la transición inter-banda Eo. Los parámetros que describen la variación de la energía de las transiciones electrónicas con la temperatura fueron evaluados mediante las relaciones semiempíricas de Varshni y del tipo Bose-Einstein. El comportamiento del ensanchamiento con la temperatura fue descrito por relacio-nes del tipo Bose-Einstein, encontrándose que el proceso dispersivo principal puede estar relacio-nado con la interacción de electrones con la red.

In this work we present the photoreflectance (PR) spectra analysis for temperatures in the range of 12K to 100K of the Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb film grown by the liquid phase epitaxy technique (LPE). The fittings to the PR experimental spectra were made using the first-derivative lorentzian lineshape associated to the excitonic transition Ex and the third derivative lorentzian lineshape as-sociated to the interband transition E0. The parameters that describe the temperature variation of the energy were evaluated using both the semiempirical Varshni relations and the Bose-Einstein type equation. The temperature behavior of the broadening parameter was described by the Bose-Einstein type equations, and we found that the mean dispersive process can be related to the elec-trons interaction with the lattice.