Presentamos el estudio de espectros de fotorreflectancia (FR) tomados antes y después del tratamiento químico de una película de GaInAsSb/GaSb crecida mediante la técnica de epitaxia en fase líquida (EFL), los espectros fueron tomados en el rango de temperatura desde 12K hasta 200K. Los ajustes se realizaron con formas de línea lorentziana de tercera derivada para la transición in-terbanda Eo. Los parámetros que describen la variación de la energía con la temperatura fueron evaluados mediante las relaciones semiempíricas del tipo Bose-Einstein. La dependencia del parámetro de ensanchamiento con la temperatura fue descrita por relaciones del tipo Bose-Einstein. Se discuten los efectos del ataque químico en el comportamiento óptico del material.

In this work we present the photoreflectance (PR) spectra analysis for temperatures in the range of 12K to 200K measured after and before of the etching for a GaInAsSb/GaSb film. The sample was grown by the liquid phase epitaxy (LPE) technique. The PR experimental spectra were fitted using the third derivative lorentzian lineshape associated to the interband transition Eo. The parameters that describe the temperature dependence of the energy were fitted using the Bose-Einstein type semiempirical relations. The temperature dependence of the broadening parameter was described by the Bose-Einstein type equations. We discussed the etching effects in the optical behavior of the sample.