Se presenta el estudio de capas de GaAs dopadas con Si. Las capas fueron estudiadas por medio de las técnicas de espectroscopía micro-Raman (µR) y Catodoluminiscencia (CL). La técnica de µR permitió determinar la concentración y movilidad de los portadores de carga. Con CL se estudia-ron perfiles de dopado en las muestras y se determinó la presencia de picos de emisión con difer-entes longitudes de onda que suponen la formación de varios complejos de silicio en las capas dopadas. Mediante el estudio de los espectros de CL en las capas dopadas tipo n, variando la tem-peratura, fue posible determinar la energía de activación de dos de los centros emisores presentes. El comportamiento de la luminiscencia asociada con los complejos de silicio se analiza usando el modelo de coordenadas de configuración.

Palabras claves: GaAs, micro-Raman, Catodoluminiscencia

A study of Si-doped GaAs layers is presented herein. The layers were studied by micro-Raman (µR) and Cathode luminescence (CL). The µR technique allowed determining the concentration and mobility of the charge carriers. The study of doping profiles in the doped samples by CL de-termined the presence of emission peaks with different wavelengths that suppose the formation of several silicon complexes in the doped layers. By means of the study of the CL spectra in the n type doped layers with temperature, it was possible to determine the energy of activation of two of the existing emitting centers. The behavior of the luminescence associated with the silicon com-plexes is analyzed using the model of configuration of coordinates.

Keywords: GaAs, micro-Raman, Cathode luminescence.