Usando tight-binding y Surface Green's Function Matching (SGFM), se estudian los cambios producidos por las distorsiones tetragonal y aniónica sobre los estados electróni¬cos y las densidades de estados localizadas (LDOS) de la superficie metálica (112) del semiconductor CuInSe2. Los parámetros de la celda bi-dimensional y la distancia entre los planos atómicos cambian con las distorsiones. En consecuencia, las bandas electrónicas también cambian. En ambos casos, con distorsión y sin distorsión, aparecen estados dentro de la brecha de energías prohibidas del volumen. El efecto de las distorsiones sobre otras partes de las bandas es notorio. No se han considerado reconstrucciones o relajaciones en esta superficie. La inclusión de las distorsiones en un cálculo de bandas usando tight-binding no se había realizado, hasta donde sabemos.

palabras claves: Estructura electronica superficial, Funcion de Green superficial, CuInSe2

Using the SGFM (Surface Green's Function Matching) method and the tight-binding approximation we have studied the electronic states of (112) metallic surface of CuInSe2. In this work, we include tetragonal and anion distortions. Because the parameters of the bi-dimensional unitary cell and the distance between atomic planes change when we include these distortions, in consequence, the surface electronic states change too. We study the influence of the distortion on both the dispersion diagrams and Local Density of States (LDOS). Surface states were found in both cases and the effect of the distortions is strong. Such states are localized into the energy gap of the material. We have not considered reconstructions or relaxation of the surface. The inclusion of distortion in the study of the electronic states in the surface is made for the first time, as we know at present.

Keywords: Electronic Structure of surfaces, Surface Green's Function, Surface States, CuInSe2