Películas delgadas de silicio poroso fueron producidas por el método de anodización electroquímica. Las muestras se anodizaron utilizando una solución electrolitica compuesta por HF (25%) v/v y alcohol isopropílico (75 %) v/v. Se utilizaron sustratos de silicio monocristalino (100) de resisitividades 0.01, 0.1 y 1, W -cm. Con cada una de estas resistividades se produjeron muestras utilizando corrientes de anodización de 1, 3, 5, 7 y 9 mA/cm 2 . La señal de fotoluminiscencia obtenida es intensa y predominantemente naranja, está ubicada alrededor de 720 nm, pero la posición del punto máximo se desplaza dependiendo de la corriente de anodización. Muestras preparadas sobre sustratos de 0.01 W -cm presentan un desplazamiento del máximo de emisión hacia longitudes de onda corta a medida que se aumenta la corriente de anodización. Se observó un comportamiento opuesto en muestras preparadas sobre sustratos de 0.1 y 1 W -cm.

Palabras Clave:Recubrimientos duros, Nitruro de Boro, Multicapas

Porous silicon thin films were prepared using the electrochemical anodization method. Samples were produced using as electrolyte a solution of HF (25 %) v/v and isopropyl alcohol. (100), p type silicon substrates of resistivities 0.01, 0.1, and 1 ?-cm were used. Samples were prepared using current densities of 1, 3, 5, 7 y 9 mA/cm2. The fotoluminiscence signal is intense and orange, it was located around 720 nm, but its maximum position is shifted depending on the anodization current density and substrate resistivity. In Samples prepared using substrates of resistivity 0.01 ?-cm, the PL maximum is shifted to short wavelengths as the current density increase. It was observed an opposite behaviour with substrates of others resistivities.

Key Words: Porous silicon, Electrochemical Process, Photoluminiscence.