Resumenes Vol. 38 No.2 de 2006
 

EFECTO COMBINADO DE PRESIÓN HIDROSTÁTICA Y CAMPOS ELÉCTRICO Y MAGNÉTICO SOBRE LA RECOMBINACIÓN ELECTRÓN-HUECO EN POZOS CUÁNTICOS DE GAAS-(GA,AL)AS

E. Tangarife, M . de Dios-Leyva, L . E. Oliveira, y C. A. Duque

Resumen

Utilizando el método de las funciones envolventes y el modelo de bandas parabólicas se estudian los estados de los portadores de carga (electrón y hueco) en pozos cuánticos de GaAs-(Ga,Al)As bajo la acción combinada de campos eléctrico y magnético constantes y uniformes y presión hidrostática. En este estudio se considera aquella configuración donde el campo eléctrico se aplica en la dirección de crecimiento de la heteroestructura y el campo magnético es paralelo a las intercaras. Las energías y las funciones envolventes correspondientes se calculan desarrollando estas últimas a través de un conjunto completo de funciones trigonométricas convenientemente seleccionado, lo cual garantiza la obtención de resultados con la exactitud deseada. En particular, se calcula la energía de los 5 estados más bajos de electrón y hueco en pozos cuánticos en función de los campos eléctrico y magnético, de la presión hidrostática y del ancho del pozo. Adicionalmente se consideran variaciones de la concentración de aluminio en la barrera dentro del régimen de brecha de energía directa.

Palabras Clave: Silicio poroso, prosesos electroquimicos, Fotoluminicencia.

Abstract

Using the envelope function method and parabolic bands model, we study the combined electric and magnetic field and hydrostatic pressure effects on the firts confined electron and hole states in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells. In this study the electric field is applied in the growth direction of the heterostructure and the magnetic field is parallel to the interfaces. The energy and the corresponding envelope wave functions are calculated developing these last ones through a selected complete set of trigonometrical functions. In particular, we have calculated the energy of the five lower electron and hole states as a function of the electric and magnetic field, the hydrostatic pressure, and the width of the well. Additionally, variations of the aluminum concentration in the barrier region, in the direct gap regime, are taken into account.

Key Words: Porous silicon, Electrochemical Process, Photoluminiscence.

 
Formatos Disponibles: Pdf