Se prepararon capas delgadas de In2O3:Sn por el proceso sol-gel a partir de soluciones de cloruro de indio y cloruro estánnico. Las capas depositadas sobre sustratos de vidrio fueron caracterizadas por el método de cuatro puntas para determinar su resistencia de hoja; las propiedades ópticas a partir de transmitancia en el rango de 370 a 1200 nm. Las propiedades cristalográficas se estudiaron mediante difracción de rayos X. Se encontró que la resistencia de hoja varia con la concentración del cloruro estánnico, la solución precursora, el número de inmersiones y la temperatura de postratamiento térmico en atmósfera de aire , de la capa depositada. Se obtuvieron películas de resistencia de hoja menores a 20 W / ÿ , con estructura cúbica y de carácter policristalino.

Palabras Clave: Método Sol-Gel, ITO, Capas conductoras.

In 2 O 3 :Sn thin films were prepared by sol-gel method using indium chloride and stannic chloride solutions. Films were deposited on glass substrates and the sheet resistance was characterized by four-point probe method; optical properties were measured trought transmittance between 370 nm to 1200 nm. Christalographic properties were studied by X ray diffraction measurement. It was found that sheet resistance of deposited films changes with stannic solution concentration, precursor solution, the number of dips and annealing temperature in air atmosphere. Were prepared polycrystalline films with sheet resistance lower than 20 W / ÿ and cubic structure.

Key Words: Sol-Gel method, ITO, conducting layers.