Se presenta un análisis de los esfuerzos presentes en la película de ZnSe por medio de la técnica de fotorreflectancia (FR). En el estudio de los esfuerzos se tiene en cuenta el desacople de red y la diferencia en los coeficientes de dilatación térmica entre el sustrato y la película. El esfuerzo por desacople de red es de compresión, mientras que el debido a los coeficientes de expansión térmica es de tensión. El cálculo muestra que el esfuerzo total tiende a cero debido a que la compresión y la tensión son del mismo orden, y en el espectro de FR no se aprecia un desdoblamiento de la banda de valencia en huecos ligeros y huecos pesados. Los ajustes de las curvas de FR se realizaron mediante una contribución de forma de línea de tercera derivada para un punto crítico 3D, M 0 . La dependencia de la energía de la transición fundamental E 0 con la temperatura se estudio empleando diferentes modelos teóricos.

Palabras claves: hetereoestructuras, fotorreflectancia, desacople de red, expansion térmica.

It is reported an analysis of the present strains in the ZnSe film by means of the photoreflectance (PR) technique. In the study of the strain it was considered the lattice mismatch and the difference in the thermal expansion coefficient .between the substrate and the film. The strain by lattice mismatch is compressive, whereas due to the thermal expansion coefficients is tensile. The calculation shows that the total strain tends to zero because the compressive and the tensile strains are of the same order, and in the PR spectra it is not appreciable the valence band splitting in heavy and light holes. The PR spectra were fitting by one contribution of third derivative line shape for a 3D, M 0 critical point. The temperature dependence of the fundamental band gap transition (E 0 ) was studied by different theoretical models.

Keywords: hetereoestructures, photoreflectance, disconnect of network, thermal expansion .